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全球最小最先進(jìn)的19納米工藝制造技術(shù)
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http://m.t3home.cn 發(fā)表日期：2011-4-27 9:28:31
蘭格鋼鐵 |
SANDISKCorporation近日宣布推出采用全球領(lǐng)先的19納米存儲制造工藝、基于2-bits-per-cell(X2)技術(shù)的64-gigabit(Gb)單塊芯片。此項技術(shù)將令SanDisk制造出適用于手機(jī)、平板電腦和其他設(shè)備的高性能、小尺寸嵌入式和可移動存儲設(shè)備。
SanDisk將于本季度推出19納米64GbX2芯片的樣片，并預(yù)計于2011年下半年開始量產(chǎn)。屆時，SanDisk還將在其產(chǎn)品系列中添加一款基于19納米工藝技術(shù)制造的3-bits-per-cell(X3)產(chǎn)品。
SanDisk執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)官YoramCedar表示：“通過與制造伙伴東芝(Toshiba)的持續(xù)合作，我們非常高興能夠推出基于行業(yè)領(lǐng)先的19納米工藝技術(shù)的全球最小、成本最低的NAND閃存芯片�；谠擁椉夹g(shù)的產(chǎn)品將幫助實現(xiàn)新的應(yīng)用、尺寸和消費者體驗，正是這些應(yīng)用將閃存行業(yè)的發(fā)展推上了新的臺階�！�
19納米存儲芯片采用了包括先進(jìn)的工藝創(chuàng)新和單元設(shè)計解決方案在內(nèi)的、時下最先進(jìn)的閃存技術(shù)制造工藝。SanDisk的All-Bit-Line(ABL)架構(gòu)擁有專用的程序設(shè)計算法和多層式數(shù)據(jù)儲存管理方案，從而在制造多層單元(MLC)NAND閃存芯片時不會影響其性能或可靠性。(中電網(wǎng)) |
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文章編輯：【蘭格鋼鐵網(wǎng)】m.t3home.cn |
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